IGBT概念股有：

　　1、士蘭微600460：

　　在ROE方面，從2017年到2020年，分別為6.65%、5.12%、0.43%、1.98%。在工藝技術(shù)平臺(tái)研發(fā)方面，公司依托于士蘭集成業(yè)已穩(wěn)定運(yùn)行的芯片生產(chǎn)線，建立了新產(chǎn)品和新工藝技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，陸續(xù)完成了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高壓BCD工藝平臺(tái)、槽柵IGBT工藝平臺(tái)、超薄片工藝平臺(tái)、MEMS傳感器工藝平臺(tái)等。

　　2、斯達(dá)半導(dǎo)603290：

　　在ROE方面，從2017年到2020年，分別為16.75%、24.9%、27.23%、17.31%。國(guó)內(nèi)IGBT龍頭，全球排名第八。主營(yíng)以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)和生產(chǎn)，并以IGBT模塊形式對(duì)外實(shí)現(xiàn)銷售。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機(jī)、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。

　　3、揚(yáng)杰科技300373：

　　在ROE方面，從2017年到2020年，分別為12.5%、8.02%、9.16%、13.89%。揚(yáng)杰科技是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM廠商，具備完善的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝檢測(cè)能力。公司主要產(chǎn)品為各類二極管整流橋，并逐步往MOSFET、IGBT、第三代半導(dǎo)體功率器件等高端產(chǎn)品延伸。公司擁有大規(guī)模成熟制程晶圓產(chǎn)線，并憑借IDM的優(yōu)秀模式和高效運(yùn)營(yíng)取得高盈利能力，利潤(rùn)率領(lǐng)先同行。

　　4、捷捷微電300623：

　　在ROE方面，從2017年到2020年，分別為14.29%、12.86%、13.32%、12%。國(guó)產(chǎn)晶閘管龍頭，主營(yíng)功率半導(dǎo)體芯片和功率半導(dǎo)體器件，其中功率半導(dǎo)體芯片目前主要供公司應(yīng)用，而功率半導(dǎo)體器件中，傳統(tǒng)業(yè)務(wù)主要是晶閘管和防護(hù)器，新增業(yè)務(wù)是MOSFET和IGBT。

　　5、新潔能605111：

　　在ROE方面，從2017年到2020年，分別為19.68%、33.72%、18.8%、18.49%。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體芯片及器件設(shè)計(jì)龍頭。主營(yíng)為功率半導(dǎo)體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售。公司深耕半導(dǎo)體功率器件行業(yè)，是國(guó)內(nèi)最早專門從事MOSFET、IGBT研發(fā)設(shè)計(jì)的企業(yè)之一，具備獨(dú)立的芯片設(shè)計(jì)能力和自主工藝流程設(shè)計(jì)平臺(tái)。

　　6、臺(tái)基股份300046：

　　在ROE方面，從2017年到2020年，分別為6.55%、9.95%、-29.25%、5.15%。募集資金擬用于新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級(jí)項(xiàng)目，月產(chǎn)4萬(wàn)只IGBT模塊封測(cè)線，兼容月產(chǎn)1.5萬(wàn)只SiC等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件封測(cè)；月產(chǎn)6500只高功率半導(dǎo)體脈沖功率開(kāi)關(guān)生產(chǎn)線；晶圓線改擴(kuò)建項(xiàng)目；新型高功率半導(dǎo)體研發(fā)中心、營(yíng)銷中心。

　　7、國(guó)電南瑞600406：

　　在ROE方面，從2017年到2020年，分別為16.38%、16.9%、14.82%、15.06%。國(guó)電南瑞預(yù)期IGBT項(xiàng)目部分生產(chǎn)線在2021年下半年投產(chǎn)。

　　本文選取數(shù)據(jù)僅作為參考，并不能全面、準(zhǔn)確地反映任何一家企業(yè)的未來(lái)，并不構(gòu)成投資建議，據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。