今年以來，在新能源汽車、可再生能源等高速增長的市場需求推動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展受到市場高度關(guān)注，以行業(yè)龍頭英諾賽科為的氮化鎵功率半導體產(chǎn)業(yè)，正迎來前所未有的發(fā)展機遇。

　　近日，2024年度蘇州市重大科技成果轉(zhuǎn)化“揭榜掛帥”擬立項項目，蘇州擬立項27項，位于吳江區(qū)的全球獨角獸企業(yè)英諾賽科上榜；此外，英諾賽科憑借在氮化鎵功率半導體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和創(chuàng)新實力還入選了2024年江蘇獨角獸企業(yè)。

　　據(jù)悉，作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，目前英諾賽科已經(jīng)發(fā)展成為全球功率半導體革命的者，亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司。

　　相關(guān)資料顯示，英諾賽科成立于2017年，一直致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效于一體，建成全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與器件量產(chǎn)線，建有江蘇省工程技術(shù)研究中心。

　　按折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科于2023年在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市占率為42.4%；截至2023年12月31日，公司累計出貨量超過5億顆。

　　在AI技術(shù)的強勁推動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷著前所未有的發(fā)展加速度，同時，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）這兩種材料也在AI領(lǐng)域中逐漸嶄露頭角，各國企業(yè)都在積極布，以期在未來的全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭中占據(jù)有利地位。

　　此次英諾賽科承擔的蘇州市重大科技成果轉(zhuǎn)化“揭榜掛帥”項目為“面向數(shù)據(jù)中心高可靠8英寸硅基氮化鎵芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，聚焦第三代化合物半導體領(lǐng)域，突破8英寸Si基GaN外延、CMOS兼容制程及量產(chǎn)、GaN器件可靠性測試等多項關(guān)鍵技術(shù)，為新一代大數(shù)據(jù)中心提供高效低能耗的解決方案，實現(xiàn)GaN高效綠色小體積服務器電源在數(shù)據(jù)中心的示范應用。

　　市重大科技成果轉(zhuǎn)化項目是蘇州市為推動重大科技成果有效快速轉(zhuǎn)化而推出的。項目聚焦新能源、新一代信息技術(shù)、高端裝備、生物醫(yī)藥與醫(yī)療器械等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，加快推動一批具有意義和引領(lǐng)作用的重大產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化，推動創(chuàng)新鏈產(chǎn)業(yè)鏈深度融合，加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，為打造具有全球影響力的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新中心主承載區(qū)提供有力支撐。